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BSM75GB170DN2HOSA1

发布时间:2023-05-31 14:06   已关注:18 人

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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
110A
功率 - 最大值
625W
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
@ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值)
@ 15V,75A
不同Vce 时的输入电容(Cies)
11nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,BSM75GB170DN2HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。