IC科技有限公司IBXMGP

2N2609

发布时间:2023-07-30 23:24   已关注:6 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • 2N2609 PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
30V
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
2mA @ 5V
漏极电流(Id) - 最大值
10mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
750mV @ 1A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10pF @ 5V
电阻 - RDS(开)
10pF @ 5V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装
TO-18(TO-206AA)
商品其它信息
优势价格,2N2609的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。