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IPD06P007NATMA1

发布时间:2023-05-21 18:33   已关注:20 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
400 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 166µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
260pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
19W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
优势价格,IPD06P007NATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。