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CTLDM8120-M621H TR

发布时间:2023-05-21 18:28   已关注:19 人

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
950mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
150 毫欧 @ 950mA,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@
Vgs(最大值)
8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
200pF @ 16V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TLM621H
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
商品其它信息
优势价格,CTLDM8120-M621H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。