IC科技有限公司FIGVPT

SI1563DH-T1-GE3

发布时间:2024-02-04 09:44   已关注:9 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • SI1563DH-T1-GE3 PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
,880mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
280 毫欧 @ ,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
2nC @
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
570mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
商品其它信息
优势价格,SI1563DH-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。