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SI1903DL-T1-GE3

发布时间:2024-02-04 09:13   已关注:16 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
410mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
995 毫欧 @ 410mA,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
商品其它信息
优势价格,SI1903DL-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。