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GP1M009A020HG

发布时间:2024-02-04 06:36   已关注:11 人

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
400 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
414pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
52W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
商品其它信息
优势价格,GP1M009A020HG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。