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IR2011STR

发布时间:2024-01-30 03:59   已关注:15 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
驱动配置
高压侧或低压侧
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源
10V ~ 20V
逻辑电压- VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
1A,1A
输入类型
反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
200V
上升/下降时间(典型值)
35ns,20ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(", 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
优势价格,IR2011STR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。