数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
,
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
43 毫欧 @ 4A,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
20nC @
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(", 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
优势价格,NTMD2C02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。