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IRF7343PBF

发布时间:2023-12-21 13:22   已关注:14 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
50 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
740pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(", 宽)
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
优势价格,IRF7343PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。