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SI3911DV-T1-E3

发布时间:2023-12-21 13:07   已关注:18 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
145 毫欧 @ ,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
830mW
工作温度
830mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
优势价格,SI3911DV-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。