IC科技有限公司WWEQEN

QJD1210SA1

发布时间:2023-12-21 12:32   已关注:12 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • QJD1210SA1 PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
1200V()
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
17 毫欧 @ 100A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 34mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
330nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8200pF @ 10V
功率 - 最大值
520W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格,QJD1210SA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。