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SIZ914DT-T1-GE3

发布时间:2023-12-21 12:05   已关注:19 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A,40A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1208pF @ 15V
功率 - 最大值
,100W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®
商品其它信息
优势价格,SIZ914DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。