IC科技有限公司IBXMGP

APTM50DSKM65T3G

发布时间:2023-12-21 11:56   已关注:11 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • APTM50DSKM65T3G PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
51A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
78 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7000pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
商品其它信息
优势价格,APTM50DSKM65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。