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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
CoolMOS™ E6
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
190 毫欧 @ ，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
@ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
73nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1620pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
商品其它信息
优势价格，IPL65R190E6AUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。