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IRFR9120NTRPBF

发布时间:2023-12-21 05:44   已关注:15 人

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
HEXFET®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
480 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
27nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
优势价格,IRFR9120NTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。