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MVDF1N05ER2G

发布时间:2023-10-16 11:58   已关注:9 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
300 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
330pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(", 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
优势价格,MVDF1N05ER2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。