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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
337A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 180A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1224nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
23000pF @ 1000V
功率 - 最大值
23000pF @ 1000V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格，APTSM120AM09CD3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。