IC科技有限公司WWEQEN

APTC90DSK12T1G

发布时间:2023-10-16 10:17   已关注:17 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • APTC90DSK12T1G PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
CoolMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道(双路降压斩波器)
FET 功能
超级结
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
120 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6800pF @ 100V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
商品其它信息
优势价格,APTC90DSK12T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。