IC科技有限公司GPGTRB

APTSM120AM08CT6AG

发布时间:2023-10-16 10:06   已关注:16 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • 如您需要此型号规格书,请联系客服索取
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)
1200V()
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
370A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
10 毫欧 @ 200A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
1360nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1360nC @ 20V
功率 - 最大值
2300W
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6
商品其它信息
优势价格,APTSM120AM08CT6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。