IC科技有限公司KYFKWH

FDPF15N65

发布时间:2023-10-16 06:40   已关注:9 人

数据手册
  • PDF资料下载
  • FDPF15N65 PDF资料下载
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
UniFET™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
440 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
63nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3095pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
优势价格,FDPF15N65的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。