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CP798X-CPDM302PH-WN

发布时间:2023-10-16 06:33   已关注:7 人

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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
91 毫欧 @ ,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
@ 5V
Vgs(最大值)
12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
800pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
优势价格,CP798X-CPDM302PH-WN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。