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SI7308DN-T1-GE3

发布时间:2023-10-16 06:13   已关注:19 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
58 毫欧 @ ,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
665pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
(Ta),(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
商品其它信息
优势价格,SI7308DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。