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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
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不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
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工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223
封装/外壳
TO-261-3
商品其它信息
优势价格,ISP26DP06NMSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。