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IXRFSM12N100

发布时间:2023-10-16 04:56   已关注:8 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
SMPD
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
欧姆 @ 6A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
@ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
77nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2875pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
940W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
16-SMPD
封装/外壳
16-BESOP(", 宽)15 引线,裸露焊盘
商品其它信息
优势价格,IXRFSM12N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。