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IMB1AT110

发布时间:2023-07-31 15:53   已关注:9 人

数据手册
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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
22 千欧
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
56 @ 5mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
SMT6
商品其它信息
优势价格,IMB1AT110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。